Galyòm Arsenide Substra

Galyòm Arsenide Substra

Youn nan benefis prensipal yo nan substra arsenide galyòm se mobilite elèktron segondè li yo. Li gen yon pi gwo mobilite elèktron konpare ak lòt materyèl semi-conducteurs tankou Silisyòm, ki fè li ideyal pou gwo vitès, aparèy ki ba bri.
Voye rechèch
Chat kounye a
Dekri teren
Karakteristik teknik
Deskripsyon Product

 

Youn nan benefis prensipal yo nan substra arsenide galyòm se mobilite elèktron segondè li yo. Li gen yon pi gwo mobilite elèktron konpare ak lòt materyèl semi-conducteurs tankou Silisyòm, ki fè li ideyal pou gwo vitès, aparèy ki ba bri. Anplis, li gen yon bandgap dirèk ki pèmèt li pwodwi efikas limyè-emisyon dyod ki emèt nan rejyon yo vizib ak enfrawouj.

 

Yon lòt avantaj nan substra sa a se konduktiviti segondè tèmik li yo, ki ede nan gaye chalè byen vit. Karakteristik sa a itil espesyalman nan aplikasyon elektwonik pouvwa kote dissipation chalè se kritik. Gallium arsenide substrate tou gen yon vòltaj segondè pann, ki asire fyab li menm anba kondisyon vòltaj segondè.

 

Dimansyon estanda ak tolerans pou 150mm Dyamèt GaAs Wafer

Pwopriyete

Dimansyon

Tolerans

Inite yo

Dyamèt

150

+/-0.5

manm

Epesè, Sant Pwen

     

Opsyon A

675

+/-25

μm

Opsyon B

550

+/-25

μm

Oryantasyon Notch

[010]

+/-2

degre

Pwofondè Notch

1

+0.25/-0.0

manm

       

Dimansyon estanda ak tolerans pou 100mm Dyamèt GaAs Wafer

Pwopriyete

Dimansyon

Tolerans

Inite yo

Dyamèt

100

+/-0.5

manm

Epesè, Sant Pwen

675

+/-25

μm

Longè plat prensipal

18

+/-2

manm

Longè plat segondè

18

+/-2

manm

US/SEMI ak E/J-Flat-Opsyon ki disponib

     
       

Dimansyon estanda ak tolerans pou 200mm Dyamèt GaAs Wafer

Pwopriyete

Dimansyon

Tolerans

Inite yo

Dyamèt

200

+/-0.5

manm

Epesè, Sant Pwen

625

+/-25

μm

Oryantasyon Notch

[010]

+/-2

degre

Pwofondè Notch

1

+0.25/-0.0

manm

       

Dimansyon estanda ak tolerans pou wafer GaAs 3 pous dyamèt

Pwopriyete

Dimansyon

Tolerans

Inite yo

Dyamèt

76.2

+/-0.5

mm

Epesè, Sant Pwen

625

+/-25

μm

Longè plat prensipal

22

+/-2

manm

Longè plat segondè

11

+/-2

manm

US/SEMI ak E/J-Flat-Opsyon ki disponib

     

 

Foto pwodwi

4 11

4

Poukisa Chwazi Nou

 

Pwodwi nou yo soti sèlman nan senk pi gwo manifaktirè nan mond lan ak dirijan faktori domestik. Sipòte pa ekip teknik domestik ak entènasyonal trè kalifye ak mezi kontwòl kalite sevè.

Objektif nou se bay kliyan sipò konplè youn-a-yon sèl, asire lis chanèl kominikasyon ki pwofesyonèl, alè, ak efikas. Nou ofri yon kantite minimòm lòd ki ba ak garanti livrezon rapid nan 24 èdtan.

 

Montre faktori

 

Envantè vas nou an konsiste de 1000+ pwodwi, asire ke kliyan yo ka pase lòd pou yon ti kras tankou yon sèl pyès. Ekipman pwòp tèt ou nou yo pou dicing & backgrinding, ak koperasyon konplè nan chèn endistriyèl mondyal la pèmèt nou rapid chajman asire kliyan satisfaksyon yon sèl-stop ak konvenyans.

01
02
03

 

Sètifika nou an

 

Konpayi nou an fyè de sètifikasyon divès kalite nou te touche, ki gen ladan sètifika patant nou an, sètifika ISO9001, ak sètifika National High-Tech Enterprise. Sètifikasyon sa yo reprezante devouman nou pou inovasyon, jesyon kalite, ak angajman pou ekselans.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

Baj popilè: Galyòm arsenide substrate, Lachin Galyòm arsenide substrate manifaktirè, Swèd, faktori