Entwodiksyon pwodwi ak aplikasyon Gallium Arsenide

Galyòm asenide, ak fòmil chimik GaAs, se yon gwoup III-V konpoze semiconductor. Li konpoze de asenik ak galyòm. Li gen yon aparans gri klere, yon ekla metalik, epi li frajil ak difisil. Materyèl semi-conducteurs konpoze, ak karakteristik siperyè tankou frekans segondè, segondè mobilite elèktron, gwo pouvwa pwodiksyon, bri ki ba ak bon lineyè, se youn nan materyèl sipò ki pi enpòtan pou optoelectronics ak endistri mikwoelektwonik.
Nan nivo aplikasyon an nan endistri optoelectronics, GaAs kristal sèl ka itilize pou fè LDs (laser), LED (dyodes ki emèt limyè), optoelectronic sikui entegre (OEICs), ak aparèy fotovoltaik.
Nan nivo aplikasyon an nan endistri mikwo-elektwonik, li ka itilize pou fè MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor), HEMT (High Electron Mobility Transistor), HBT (Heterojunction Bipolè Tranzistò), IC, dyòd mikwo ond, aparèy Hall, elatriye.
Li sitou enplike-wo fen aplikasyon militè elektwonik, sistèm kominikasyon fib optik, bande satelit sistèm kominikasyon san fil, enstriman tès, elektwonik otomobil, lazè, ekleraj ak lòt jaden. Kòm yon materyèl semi-conducteurs enpòtan, mobilite elèktron GaAs se senk fwa silisyòm ak nitrure galyòm. Li se itilize nan aparèy mikwo ond ti ak mwayen pouvwa ak pi ba pèt pouvwa. Se poutèt sa, li se itilize nan kominikasyon telefòn mobil, rezo lokal san fil, GPS ak rada otomobil. dominan nan.